美光科技高管在最新投资者会议上发出明确信号：即便新建晶圆厂在2027年投产银易配资，DRAM和HBM的供需紧张状况仍难以解决。
据追风交易台，美光首席财务官Mark Murphy、首席商务官Sumit Sadana在摩根大通最近组织的投资者会议上重申，公司目前仅能满足关键客户中期需求的50%至三分之二。即使爱达荷州新建的Idaho 1晶圆厂将于2027年中期提前一个季度量产，但产能爬坡将是渐进式的，而需求仍在持续攀升。
这一供需失衡格局将为存储器价格提供持续支撑。据摩根大通预测，2026年DRAM平均价格将同比上涨近60%。
美光管理层表示银易配资，竞争对手的新建产能要到2027年底和2028年才能陆续投产，且同样面临产能爬坡的物理限制。摩根大通认为供应紧张将延续至2026年之后，支撑价格进一步走强。
供应缺口难以弥合，新产能爬坡缓慢美光管理层在会议上透露，公司已将Idaho 1晶圆厂的首片晶圆产出时间提前约一个季度至2027年中期。但管理层强调，这座新建晶圆厂的产能爬坡将是渐进式的，并非受资本限制，而是受物理条件制约。
竞争对手的新建产能同样面临类似挑战。摩根大通指出银易配资，其他厂商的新建晶圆厂要到2027年底和2028年才能陆续投产，且产能爬坡速度也将受到限制。与此同时，存储器需求持续"向上向右"增长。
美光目前因缺乏可用的洁净室空间，在满足客户增量需求方面受到限制。不过，通过制程节点转换、生产效率提升和加速良率爬坡，公司预计2026年DRAM和NAND的位元出货量将至少增长20%。但这一增速仍无法追上需求增长——摩根大通预计需求增速将达到30%以上。
AI应用需求全面爆发，GPU和XPU订单持续上修美光管理层对DRAM和NAND的需求环境表达了非常乐观的看法，客户持续上调存储器和存储需求。这一趋势在近几个月的GPU和XPU市场表现明显。
英伟达此前宣布的Rubin和Blackwell产品积压订单规模超过5000亿美元（覆盖至2026年底），而该公司已表示订单在持续增加。博通的TPU出货量也在不断攀升。摩根大通本周早些时候上调了CoWoS产能预测，部分原因正是TPU出货量预期提高。
美光管理层指出，即使有新建洁净室产能在2027年开始投产，需求仍可能继续超过供应。摩根大通预计，这种持续的供需紧张状况将至少在2026年持续支撑价格走强，该行预测2026年DRAM平均价格将同比上涨近60%。
上下文窗口存储成为NAND新增长点美光管理层表示，英伟达本周在CES上宣布的新型推理上下文窗口存储平台并不令人意外。其他厂商（包括拥有内部AI XPU基础设施的超大规模云服务商）已经部署或正在开发KV缓存管理系统，以应对快速增长的上下文窗口规模，以及从HBM和系统内存卸载数据的需求。
管理层认为，这将为NAND位元需求增长开辟另一条通道，因为英伟达基于Bluefield-4的系统配置率可能会很高。重要的是，美光预计KV缓存卸载工作不会影响客户未来几年的HBM路线图，这些路线图已经确定。
具身智能和机器人将成为"巨大"需求驱动力与英伟达、AMD等厂商在CES上的表态一致，美光预计具身智能（尤其是机器人）将成为存储器的"巨大"需求驱动力，紧随生成式AI之后，未来可能占据整体行业需求的相当大比例。
管理层表示，客户的计划在规模和隐含的存储器需求方面"令人难以置信"。例如，一台领先的人形机器人使用高达64-128GB的DRAM和1-2TB的NAND（这两个数字未来可能还会上升）。如果按数百万台规模计算，这意味着显著的DRAM和NAND增量需求。
摩根大通维持美光"增持"评级，目标价350美元，基于2026年40美元的盈利能力和8-12倍市盈率，这与存储器股票中后周期的市盈率倍数一致。
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